[发明专利]一种高灵敏度的CoFeB基磁隧道结无效
申请号: | 201210181264.2 | 申请日: | 2012-06-04 |
公开(公告)号: | CN102709467A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 宋成;崔彬;潘峰 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 关畅 |
地址: | 100084 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种具有高灵敏度的CoFeB基磁隧道结。该CoFeB基磁隧道结的结构依次包括:基片、过渡层、磁性电极层、绝缘层、磁性电极层、保护层;其中,所述磁性电极层为CoFeB层,所述过渡层为钨层。具体结构可为:Si/SiO2/W(3-15nm)/CoFeB(5-20nm)/MgO或Al2O3(1-3nm)/CoFeB(5-20nm)/Ta(1-5nm)。本发明使用W替代Ta作为磁隧道结中的过渡层,可以促进CoFeB在低磁场下实现敏锐的翻转,并且具有良好的热稳定性。由于W层不容易与Co、Fe形成合金,界面处的CoFeB保持良好的非晶形貌,得到的材料矫顽力小、矩形度高。材料在退火后矫顽力和矩形度变化不大,热稳定性良好。 | ||
搜索关键词: | 一种 灵敏度 cofeb 隧道 | ||
【主权项】:
一种CoFeB基磁隧道结,其结构依次包括:基片、过渡层、磁性电极层、绝缘层、磁性电极层、保护层,所述磁性电极层为CoFeB层;其特征在于:所述过渡层为钨层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210181264.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种电话
- 下一篇:基于惯性姿态传感器的自稳定云台