[发明专利]一种可提高数控振荡器频率分辨率的变容管有效
申请号: | 201210181417.3 | 申请日: | 2012-06-05 |
公开(公告)号: | CN102694031A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 李巍;牛杨杨;李宁;任俊彦 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H03L7/099 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属于集成电路技术领域,具体为一种可提高数控振荡器频率分辨率的变容管。数控振荡器输出的离散频点会引入额外的量化噪声,为了保证该量化噪声不会显著影响系统性能,数控振荡器需要很精细的频率分辨率。通过将单个P型金属氧化物半导体场效应晶体管的源端和体端都连接到电源,或者将单个N型金属氧化物半导体场效应晶体管的源端和体端都连接到地电平,来构成一种精细调谐的变容管,控制电压连接到漏端,输出电容在栅端得到。上述变容管可以提高数控振荡器的频率分辨率,从而降低数控振荡器引入的量化噪声。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 数控 振荡器 频率 分辨率 变容管 | ||
【主权项】:
一种可提高数控振荡器频率分辨率的变容管,其特征在于由单个金属氧化物半导体场效应晶体管构成;所述金属氧化物半导体场效应晶体管有两种形式:P型金属氧化物半导体场效应晶体管和N型金属氧化物半导体场效应晶体管;当由单个P型金属氧化物半导体场效应晶体管构成时,该晶体管源端和体端都连接到电源,控制电压连接到漏端,输出电容在栅端得到;当由单个N型金属氧化物半导体场效应晶体管构成时,该晶体管源端和体端都连接到地,控制电压连接到漏端,输出电容在栅端得到。
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