[发明专利]半导体器件及制造方法无效
| 申请号： | 201210181674.7 | 申请日： | 2012-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN102810330A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | S·沙曼维德姆;B·保罗;S·克里斯南;S·巴拉萨布拉曼宁 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及制造方法，提供一种半导体器件，包括第一对P沟道场效应晶体管和大小小于所述第一对PFET的一对N沟道场效应晶体管，所述第一对P沟道场效应晶体管具有连接到电压接点的共同源极和连接到另一个PFET的漏极的栅极，所述对N沟道场效应晶体管具有连接到所述第一对PFET的个别的PFET的所述漏极的漏极、连接到接地接点的共同源极、和连接到所述第一对PFET的相对的PFET的所述漏极的栅极。。包括互补位线，所述互补位线的各者分别连接到所述第二对PFET的源极。最后，字线连接到所述第二对PFET的各者的栅极。还揭露一种形成所述半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包含：形成静态随机存取存储器单元，包含：形成第一对P沟道场效应晶体管，具有连接到电压接点的共同源极和连接到另一个PFET的漏极的栅极；形成大小小于所述第一对PFET的一对N沟道场效应晶体管，具有连接到所述第一对PFET的个别PFET的所述漏极的漏极、连接到Vss接点的共同源极、和连接到所述第一对PFET的相对的PFET的所述漏极的栅极；形成大小大于所述NFET且约为所述第一对PFET的一半的第二对PFET，所述第二对PFET的各者具有分别耦合到链结所述对的NFET的所述NFET的所述个别漏极到所述第一对PFET的所述PFET的所述漏极的连结的漏极；形成互补位线，所述互补位线的各者分别连接到所述第二对PFET的源极；和形成连接到所述第二对PFET的各者的栅极的字线。
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