[发明专利]同轴型非接触式3D-MCM垂直互连方法有效

专利信息
申请号: 201210181795.1 申请日: 2012-06-05
公开(公告)号: CN102709275A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 罗鑫;黄建;赵青 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十研究所
主分类号: H01L23/64 分类号: H01L23/64
代理公司: 成飞(集团)公司专利中心 51121 代理人: 郭纯武
地址: 610036 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提出一种同轴型非接触式3D-MCM的垂直互连方法,以同轴线1作为输入口,同轴线(1)的内芯(7)垂直穿过空气介质孔(9)和第一介质基板(4)的过孔(12)与第一耦合电容片(14)相连接,并且同轴线的内芯暴露在空气介质孔(9)中;第一介质基板,B面上的第一耦合电容片和第二介质基板(5),C面上的第二耦合电容片(20)分别螺旋环绕高阻微带线(15、21),并且高阻微带线(15、21)分别接地;第一介质基板,B面上的第一耦合电容片和第二介质基板,C面上的第二耦合电容片通过电磁耦合,信号传输到带有阻抗变化的微带线(22)上,经过阻抗变化后最后传输到微带传输线输出口(2),实现同轴线到微带线的垂直过渡。
搜索关键词: 同轴 接触 mcm 垂直 互连 方法
【主权项】:
一种同轴型非接触式3D‑MCM的垂直互连方法,其特征在于包括如下步骤:在上模块(3)上制出一个台阶孔(8)作为同轴线1的输入口,同轴线1的内芯7垂直穿过空气介质孔(9)和第一介质基板4的过孔(12)与第一耦合电容片14相连接;在第一介质基板(4),B面上的第一耦合电容片(14)和第二介质基板(5),C面上的第二耦合电容片(20)分别对应无地区域(13、24),并在电容片周围布局接地孔;第一耦合电容片(14)和第二耦合电容片(20)通过电磁耦合,将信号传输到带有阻抗变化的微带线(22)上,经过阻抗变化后最后传输到微带传输线输出口(2),实现同轴线到微带线的垂直过渡;然后在上模块(3)与下模块(6)之间设置屏蔽电磁耦合区域的屏蔽板(17),把屏蔽板(17)镂空圆弧过渡开口(18)的镂空部分作为两耦合电容片的耦合区域,并让出微带传输线(2)的路由位置;当上模块(3)、屏蔽板(17)和下模块(6)三者合一时,通过第一接地孔(11)、第二接地孔(19)和屏蔽板(17)部分形成共地,构成叠层型3D‑MCM结构。
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