[发明专利]等离子体处理装置的清理方法和等离子体处理方法

摘要

本发明提供一种能够防止构成等离子体生成室的包含硅的部件引起的微粒附着到被处理基板上的等离子体处理装置的清理方法和等离子体处理方法。该等离子体处理装置具备：具有包含硅的结构部件、激发处理气体而生成等离子体的等离子体生成室；经由间隔部件与上述等离子体生成室连通的等离子体处理室；和配置于在等离子体生成室的电介质窗外侧的平面状高频天线，该清理方法在等离子体生成室内对包含氢气的处理气体进行等离子体激发，将生成的氢自由基经由上述间隔部件导入到上述等离子体处理室中，并使其作用于被处理基板来实施等离子体处理，将被处理基板搬出后，向等离子体生成室内导入四氟化碳气体，来除去堆积在等离子体生成室内的硅类堆积物。

主权项

一种等离子体处理装置的清理方法，该等离子体处理装置具备：具有包含硅的结构部件、激发处理气体而生成等离子体的等离子体生成室；经由具有开口部的间隔部件与所述等离子体生成室连通的等离子体处理室；和平面状高频天线，其配置于在所述等离子体生成室的顶部上设置的板状电介质窗的外侧，所述等离子体处理装置的清理方法的特征在于：在所述等离子体生成室内对包含氢气的处理气体进行等离子体激发，将产生的氢自由基经由所述间隔部件导入到所述等离子体处理室中，并使所述氢自由基作用于被处理基板来实施等离子体处理，将所述被处理基板从所述等离子体处理室中搬出后，向所述等离子体生成室内导入四氟化碳气体，来除去堆积于该等离子体生成室内的硅类堆积物。