[发明专利]非易失性存储器和根据被选字线控制虚设字线电压的方法无效
| 申请号： | 201210182593.9 | 申请日： | 2012-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN102810332A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 朱相炫;崔奇焕;金武星 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 非易失性存储器装置包括在操作期间选择字线的访问电路，访问电路在操作期间选择字线、将被选字线电压施加到被选字线、将未被选字线电压施加到字线中的未被选择的字线并将虚设字线电压施加到虚设字线。当被选字线不与虚设字线相邻时，虚设字线电压是第一虚设字线电压，当被选字线与虚设字线相邻时，虚设字线电压是与第一虚设字线电压不同的第二虚设字线电压。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 根据 被选字线 控制 虚设 电压 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器装置，包括：非易失性存储器单元的阵列，与包括虚设字线的多条字线相关联地布置；访问电路，在操作期间响应于接收的地址在所述多条字线中选择字线，将被选字线电压施加到被选字线、将未被选字线电压施加到所述多条字线中的未被选择的字线，并将虚设字线电压施加到虚设字线，其中，当被选字线不与虚设字线相邻时，虚设字线电压是第一虚设字线电压，且当被选字线与虚设字线相邻时，虚设字线电压是与第一虚设字线电压不同的第二虚设字线电压。
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