[发明专利]TVS器件及制造方法有效
| 申请号： | 201210182968.1 | 申请日： | 2012-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN103456798A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 石晶;刘冬华;钱文生;胡君;段文婷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TVS器件，该器件弃用扩散隔离，而采用高掺杂浓度的低阻衬底，在低阻衬底上方淀积低掺杂浓度的外延层以降低TVS器件的电容，衬底上方通过铟注入制作P型埋层，有效减轻了硼杂质扩散带来的问题。再进行一次低掺杂浓度外延淀积后制作N型埋层，两层埋层均作重掺杂，利用两种不同类型埋层的掺杂浓度来调节TVS的箝位电压，在有源区两侧采用扩散隔离，并由此连接埋层引出电极。本发明还公开了所述TVS器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | tvs 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种TVS器件，其特征在于：在P型低阻衬底上具有一层P型埋层，埋层上具有P型外延层；在所述P型外延层中，具有N型隔离阱和P型隔离阱呈水平排布；所述N型隔离阱中，从下至上依次为重掺杂N型埋层、N型外延层及重掺杂P型区，所述重掺杂N型埋层与衬底上的P型埋层接触；所述P型隔离阱中，从下至上依次为P型外延及重掺杂N型区，P型外延层与衬底上的P型埋层接触；P型外延之上具有两接触孔，分别连接到重掺杂P型区及重掺杂N型区，金属连线分别连接接触孔引出电极。
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