[发明专利]解决晶体管的IdVg曲线双峰现象的方法无效
| 申请号： | 201210183016.1 | 申请日： | 2012-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN103456636A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 石晶;胡君;罗啸;刘冬华;钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种解决晶体管的IdVg曲线双峰现象的方法，包括步骤：1）在硅衬底上依次生长栅氧化层和多晶硅层；2）进行阱注入；3）进行多晶硅注入；4）进行晶体管制造的后续步骤，包括：多晶硅刻蚀、轻掺杂漏注入、源漏注入、源漏退火。本发明与传统晶体管制造方法相比，阱注入经历了更少的热过程，特别是生长栅氧化层的热过程，减少了硼从硅里面往氧化硅里面扩散，使得阱里面的杂质浓度更加均匀。因此，可解决晶体管特别是NMOS的IdVg曲线的双峰现象；同时，阱注入和多晶硅注入可以通过一次光刻进行，省略了工艺步骤，节约了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 解决 晶体管 idvg 曲线 双峰 现象 方法 | ||
【主权项】：
一种解决晶体管的IdVg曲线双峰现象的方法，其特征在于，包括步骤：1）在硅衬底上依次生长栅氧化层和多晶硅层；2）进行阱注入；3）进行多晶硅注入；4）进行晶体管制造的后续步骤，包括：多晶硅刻蚀、轻掺杂漏注入、源漏注入、源漏退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
