[发明专利]应用于铜互连的空气间隔工艺有效
申请号: | 201210183189.3 | 申请日: | 2012-06-05 |
公开(公告)号: | CN102683274B | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | 袁超;康晓旭 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人: | 吴世华,林彦之 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种应用于铜互连的Air‑Gap工艺,包括通过对牺牲层图形化,形成顶部大底部小的图形,并在图形内填充第一介质层;在第一介质层内形成沟槽或沟槽加通孔结构并填充金属铜和平坦化工艺;去除所述牺牲层;在衬底、第一介质层以及金属铜上沉积第二介质层,形成空气间隔。由于形成的顶部大底部小的图形,使得牺牲层顶部第一介质层之间形成了释放口,从而使得牺牲层去除之后很容易通过第二介质层沉积形成空气间隔,并保证了后续工艺中空气间隔封口的完整性;此外,本发明首先往沟槽内填充金属,然后在衬底上沉积第二介质层并形成空气间隔,解决了金属堆积在线条空旷区后不易去除引起的金属残留问题。 | ||
搜索关键词: | 应用于 互连 空气 间隔 工艺 | ||
【主权项】:
一种应用于铜互连的空气间隔工艺,其特征在于,包括:提供衬底,所述衬底中设有待引线器件;在所述衬底表面形成一牺牲层;图形化所述待引线器件上的牺牲层,形成顶部大底部小的图形;在所述图形内填充满第一介质层;在所述顶部大底部小的图形中的所述第一介质层内形成沟槽或者沟槽加通孔并填充金属铜;其中,填充有金属铜的沟槽或所述沟槽加通孔的宽度小于所述顶部大底部小的图形的底部宽度;去除所述牺牲层,使所述顶部大底部小图形之间形成空气间隔;所述空气间隔为所述顶部大底部小图形之间所构成的顶部小底部大的图形;所述空气间隔由相邻的所述顶部大底部小图形的侧壁以及所述空气间隔的底部为部分衬底表面和部分带引线器件所围成;在所述衬底、第一介质层、所述空气间隔以及金属铜上沉积第二介质层,从而将空气间隔的顶部封闭。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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