[发明专利]用于制造高效多晶硅硅片的制备方法无效
申请号: | 201210183776.2 | 申请日: | 2012-06-06 |
公开(公告)号: | CN102729342A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 李晓辉;黄东;孙海知;潘欢欢;宋江;邢国强 | 申请(专利权)人: | 海润光伏科技股份有限公司 |
主分类号: | B28D5/00 | 分类号: | B28D5/00 |
代理公司: | 江阴市同盛专利事务所 32210 | 代理人: | 唐纫兰;曾丹 |
地址: | 214407 江苏省无锡市江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于制造高效多晶硅硅片的制备方法,该方法包括以下步骤:利用传统DSS铸造多晶硅方法生产硅锭,在多晶炉中进行多晶硅铸锭制备;将该铸造完成后多晶硅锭切割成多块约为的长方体;对切割成的多晶硅锭进行少子寿命、杂质、阴影等检测,并去除低少子寿命区;利用机械加工的方法,沿铸锭长晶方向截取硅锭;将截取出来的硅锭按照平行于铸锭长晶方向的切割线进行切割,粘棒,并切片;最后将切出的硅片利用传统多晶电池片工艺进行电池片制造。这种制备方法既能增大多晶硅片的晶粒尺寸,又能减小多晶硅片的缺陷密度,提高多晶硅片的质量,提升多晶硅电池片效率。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 高效 多晶 硅片 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种用于制造高效多晶硅硅片的制备方法,其特征在于:该方法包括以下步骤:①、利用传统DSS铸造多晶硅方法生产硅锭,进行多晶硅铸锭制备;②、将该铸造完成后多晶硅锭切割成多块长方体;③、对切割成的多晶硅锭进行少子寿命、杂质、阴影等检测,并去除低少子寿命区;④、利用机械加工的方法,沿铸锭长晶方向截取硅锭;⑤、将截取出来的硅锭按照平行于铸锭长晶方向的切割线进行切割,粘棒,并切片;⑥、最后将切出的硅片利用传统多晶电池片工艺进行电池片制造。
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