[发明专利]一种铸造高效大晶粒硅锭的方法有效
| 申请号： | 201210183783.2 | 申请日： | 2012-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN102732962A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 孙海;邢国强;潘欢欢;李晓辉;宋江;黄东 | 申请（专利权）人： | 海润光伏科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 江阴市同盛专利事务所 32210 | 代理人： | 唐纫兰;曾丹 |
| 地址： | 214407 江苏省无锡市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铸造高效大晶粒硅锭的方法，其特征在于：该铸锭方法的步骤如下：①使用单晶硅棒开方后剩余的边皮作为籽晶，将单晶边皮平整地贴在坩埚底部，籽晶上面添加硅料，添加硼掺杂剂；②将装满硅料的坩埚放入普通铸锭炉内，开始抽真空、加热，籽晶剩余高度为0~20mm之内时，结束融化步骤进入长晶步骤；③随后将炉内温度下降，按照正常铸锭工艺逐渐打开底部热门，开始长晶，使晶体顺延籽晶向上生长；④长晶结束后经退火和冷却步骤，得到大晶粒硅锭。这种铸锭方法能够大幅度提高电池效率，实现铸锭和电池效率综合效益增加。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铸造 高效 晶粒 方法 | ||
【主权项】：
一种铸造高效大晶粒硅锭的方法，其特征在于：该铸锭方法的步骤如下：①使用单晶硅棒开方后剩余的边皮作为籽晶，将单晶边皮平整地贴在坩埚底部，凸起的一面朝上，并排铺满整个坩埚底部，籽晶上面添加硅料约500Kg，按照目标电阻率1‑2~2.0Ω·cm添加硼掺杂剂；②将装满硅料的坩埚放入普通铸锭炉内，开始抽真空、加热，融化阶段炉内温度控制在1520~1560℃，用石英棒测试，硅料融化界面位于籽晶之上50~100mm之内时，炉内温度降为1450~1550℃之间；硅料剩余高度为20~50mm之内时，适当打开底部热门，控制坩埚底部温度在1200~1350℃，籽晶剩余高度为0~20mm之内时，结束融化步骤进入长晶步骤；③随后将炉内温度降至1410‑1440℃，按照常规的铸锭工艺逐渐打开底部热门，开始长晶，使晶体顺延籽晶向上生长，控制长晶速度在1‑2cm/h；④长晶结束后经退火和冷却步骤，得到大晶粒硅锭。
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