[发明专利]等离子蚀刻装置有效
| 申请号： | 201210184024.8 | 申请日： | 2012-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN103474320A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子蚀刻装置，其包括一处理室、一气体注射器、多个导管以及至少一气体供应系统。气体注射器设置于处理室的顶面。导管面对气体注射器并设置于处理室的底面。气体供应系统耦接于每一导管，其中气体供应系统通过导管供应加工气体至处理室，以增加蚀刻均匀性。本发明的等离子蚀刻装置于处理室底面增加设置多个导管，并通过导管提供加工气体，以维持半导体晶圆边缘的等离子的理想状态，达到一致的蚀刻均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 蚀刻 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子蚀刻装置，包括：一处理室；一气体注射器，设置于该处理室的顶面；多个导管，面对该气体注射器，设置于该处理室的底面；以及至少一气体供应系统，耦接于所述导管，其中该气体供应系统通过所述导管供应加工气体至该处理室。
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