[发明专利]一种制备反射膜的方法、太阳能电池板及其晶体硅片

摘要

本发明提供了制备反射膜的方法，包括：向反应装置中充入保护气体、加压并发射微波，将反应装置调至第一温度，充入硅烷和一氧化二氮，体积比例在1∶1-1∶3；反应20-100分钟，得到第一层二氧化硅薄膜；达到时间后，停止充入硅烷和一氧化二氮，充入四异丙基钛和氧气，体积比例在1∶1-1∶2，温度调至第二温度；反应10-60分钟，得到第二层二氧化钛薄膜；四异丙基钛和氧气达到时间后，停止充入四异丙基钛和氧气，温度调至第一温度，充入硅烷和一氧化二氮；反应10-60分钟，得到第三层二氧化硅薄膜。本发明使阳光的透射率显著降低，还提供了一种具有通过上述方法得到的反射膜的晶体硅片，以及具有此晶体硅片的太阳能电池板。

主权项

一种制备反射膜的方法，用于在晶体硅片（5）的背表面制备反射膜，其特征在于，包括以下步骤：11）将经过制绒、扩散、去硅氧化层和正表面形成减反射膜处理的晶体硅片（5）放置到反应装置中；12）向反应装置中充入保护气体，将所述反应装置中的温度设置为200℃‑600℃，压强设置为反应压强并向所述反应装置中发射微波；13）向所述反应装置中充入SiH4和N2O，保持两者体积比例在1∶1‑1∶3的范围内；14）持续反应20min‑100min，得到第一层SiO2薄膜（1）；15）待SiH4和N2O达到步骤14）中反应时间后，停止充入SiH4和N2O，并向所述反应装置内充入Ti(OC3H7)4和O2，保持其体积比例在1∶1‑1∶2的范围内，并将温度调整至400℃‑800℃；持续反应10min‑60min，得到第二层TiO2薄膜（2）；16）待Ti(OC3H7)4和O2达到步骤15）中所述反应时间后，停止充入Ti(OC3H7)4和O2，将温度调整至200℃‑600℃，并重复步骤13）；持续反应10min‑60min，得到第三层SiO2薄膜（3）。