[发明专利]互连结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201210184900.7 | 申请日： | 2012-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN103474416B | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种互连结构及其形成方法，所述互连结构包括半导体衬底；位于所述半导体衬底上的介质层；位于所述半导体衬底上的第一金属层，所述第一金属层位于介质层内且第一金属层的上表面低于所述介质层的上表面，即第一金属层上方具有凹槽；位于凹槽内的第二金属层，所述第二金属层防止第一金属层扩散。本发明互连结构及其形成方法通过在位于介质层中第一金属层表面沉积第二金属层，防止第一金属层中原子发生电迁移，进而避免因第一金属层中原子发生电迁移而造成的互连结构性能退化或失效，提高所形成互连结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种互连结构，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的介质层；位于所述半导体衬底上的第一金属层，所述第一金属层位于介质层内且第一金属层的上表面低于所述介质层的上表面，即第一金属层上方具有凹槽；位于凹槽内的第二金属层，所述第二金属层防止第一金属层扩散，所述第二金属层的材质为钴，所述第二金属层的厚度为10～100埃，所述第二金属层为表面经过氢气等离子体或氨气等离子体轰击的金属层；其中，所述第二金属层未填满所述凹槽，则所述互连结构还包括：位于所述凹槽内且覆盖所述第二金属层的第一阻挡层，覆盖所述第一阻挡层、第二金属层和介质层的第二阻挡层；其中，形成所述覆盖所述第一阻挡层、第二金属层和介质层的第二阻挡层包括：采用化学机械研磨工艺，去除位于所述介质层上的第二金属层和第一阻挡层以及所述第二金属层上的部分所述第一阻挡层；在所述第一阻挡层、所述第二金属层和所述介质层上表面沉积第二阻挡层；所述第一阻挡层的材质为碳氮化硅。
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