[发明专利]鳍式场效应管及其形成方法有效
| 申请号： | 201210184979.3 | 申请日： | 2012-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN103474461A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 禹国宾;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应管及其形成方法，其中，所述鳍式场效应管，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的绝缘层；位于所述绝缘层表面的若干鳍部，所述鳍部包括：位于绝缘层表面且垂直于所述半导体衬底的两个分立平行的侧壁层、以及位于所述侧壁层顶部且由所述两个侧壁层支撑的顶部层；横跨所述鳍部的顶部层和侧壁层的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的鳍部内的源/漏区。所述鳍式场效应管的漏电流减少，性能提高。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应管，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的绝缘层；位于所述绝缘层表面的若干鳍部，所述鳍部包括：位于绝缘层表面且垂直于所述半导体衬底的两个分立平行的侧壁层、以及位于所述侧壁层顶部且由所述两个侧壁层支撑的顶部层；横跨所述鳍部的顶部层和侧壁层的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的鳍部内的源/漏区。
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