[发明专利]发光二极管的制备方法有效
| 申请号： | 201210185678.2 | 申请日： | 2012-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN103474532A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 朱钧;张淏酥;朱振东;李群庆;金国藩;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一外延生长面；在基底的外延生长面依次外延生长一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；在所述第二半导体层远离基底的表面设置一第一光学对称层；在所述第一光学对称层远离基底的表面设置一金属等离子体产生层；在所述金属等离子体产生层远离基底的表面形成一第二光学对称层；形成一第一电极与所述第一半导体层电连接；以及，形成一第二电极与所述第二半导体层电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一外延生长面；在基底的外延生长面依次外延生长一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；在所述第二半导体层远离基底的表面设置一第一光学对称层；在所述第一光学对称层远离基底的表面设置一金属等离子体产生层；在所述金属等离子体产生层远离基底的表面形成一第二光学对称层；形成一第一电极与所述第一半导体层电连接；以及形成一第二电极与所述第二半导体层电连接。
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