[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 201210185708.X | 申请日： | 2012-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN103474546A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 朱钧;张淏酥;朱振东;李群庆;金国藩;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构，其包括：依次层叠设置的一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；一第一光学对称层设置于所述第二半导体层远离第一半导体层的表面；一金属等离子体产生层设置于所述第一光学对称层远离第一半导体层的表面；一第二光学对称层设置于所述金属等离子体产生层远离第一半导体层的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其包括：一基底；一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一表面；其特征在于：进一步包括一第一光学对称层、金属等离子体产生层以及第二光学对称层依次层叠设置于所述第二半导体层远离基底的表面，所述第二光学对称层的等效折射率n1，与所述基底、第一半导体层、活性层、第二半导体层以及第一光学对称层整体的等效折射率n2的差值∆n大于等于0小于等于0.5，其中∆n=|n1-n2|。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司，未经清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210185708.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
