[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 201210185716.4 | 申请日： | 2012-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN103474531A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 朱钧;张淏酥;李群庆;金国藩;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管，其包括：一第一半导体层，所述第一半导体层具有相对的一第一表面及一第二表面；一活性层及第二半导体层依次层叠设置于所述第一半导体层的第二表面、一第一电极覆盖所述第一半导体层的第一表面；一第二电极与所述第二半导体层电连接；进一步包括，一金属等离子体产生层，其设置于所述第二半导体层远离第一半导体层的一侧；一第一光学对称层设置于所述金属等离子体产生层远离第一半导体层的一侧，所述第二光学对称层的折射率与基底的折射率之差小于等于0.1。本发明提供的发光二极管具有较好的出光效果。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其包括：一第一半导体层，所述第一半导体层具有相对的一第一表面及一第二表面；一活性层及第二半导体层依次层叠设置于所述第一半导体层的第二表面，所述第一半导体层、活性层以及第二半导体层构成一有源层；一第一电极覆盖所述第一半导体层的第一表面；一第二电极与所述第二半导体层电连接；其特征在于：进一步包括，一金属等离子体产生层，其设置于所述第二半导体层远离第一半导体层的一侧；一第一光学对称层设置于所述金属等离子体产生层远离第一半导体层的一侧，所述第一光学对称层的折射率与有源层的整体的等效折射率之差小于等于0.3。
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