[发明专利]发光二极管的制备方法有效
| 申请号： | 201210185721.5 | 申请日： | 2012-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN103474525A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 张淏酥;朱钧;李群庆;金国藩;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/44;H01L33/46 |
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| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：步骤a：提供一基底，该基底具有一外延生长面；步骤b：在基底的外延生长面依次外延生长一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；步骤c：形成一金属层于所述第二半导体层远离基底的一侧；步骤d：依次形成一折射率与有源层的整体的等效折射率之差小于等于0.3的第一光学对称层于金属层的远离基底的表面以及一折射率与基底的折射率之差小于等于0.1的第二光学对称层于所述第一光学对称层远离基底的表面；以及步骤e：制备一第一电极与第一半导体层电连接，制备一第二电极与第二半导体层电连接。所述发光二极管具有良好的出光率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：步骤a：提供一基底，该基底具有一外延生长面；步骤b：在基底的外延生长面依次外延生长一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；步骤c：形成一第三光学对称层于所述第二半导体层远离基底的表面，所述第三光学对称层的折射率的范围为1.2至1.5；步骤d：形成一金属层于所述第二半导体层远离基底的一侧；步骤e：形成一第四光学对称层于所述金属层远离基底的表面，所述第四光学对称层的折射率的范围为1.2至1.5；步骤f：依次形成一第一光学对称层于所述第四光学对称层远离基底的一侧和一第二光学对称层于所述第一光学对称层远离基底的表面，所述第一光学对称层的折射率n1与所述缓冲层和有源层的整体的等效折射率n2的差值∆n1小于等于0.3，其中∆n1=|n1-n2|，所述第二光学对称层的折射率n3与基底的折射率n4之差∆n2小于等于0.1，其中∆n2=|n3-n4|；以及步骤g：制备一第一电极与第一半导体层电连接，制备一第二电极与第二半导体层电连接。
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