[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 201210185724.9 | 申请日： | 2012-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN103474549A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 朱钧;张淏酥;朱振东;李群庆;金国藩;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/20;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构，其包括：一第一半导体层；一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述第一半导体层的一表面；以及一金属陶瓷层，其设置于所述第二半导体层远离第一半导体层的表面并接触设置。所述半导体结构在应用中具有良好的发光效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其包括：依次层叠设置的一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层，其特征在于：进一步包括一金属陶瓷层，其设置于所述第二半导体层远离所述活性层的表面且接触设置。
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