[发明专利]一种低开启电压二极管

摘要

一种低开启电压二极管，属于半导体器件技术领域。本发明利用PN结二极管的耗尽区缩小与增大来控制二极管开启和关断，使得器件在很小的正向电压下就有电流通道。在小的正向电压下，阳极欧姆接触结构的引入就能使得器件在正向导通时产生正向电流；在阳极电压增加到能使得阳极肖特基结构打开时，又会增大正向电流；当所加阳极电压足以使得PN结也导通时，PN结的正向电流能使得二极管正向电流进一步增大。器件反向时，在很小的反向电压下夹断导电沟道，低掺杂的外延层可以承受增加的反向电压，阳极肖特基结构此时又能够帮助减小反向漏电流。采用本发明可以实现二极管低的开启电压，较大的正向电流，较小的反向漏电流和良好的反向恢复特性。

主权项

一种低开启电压二极管，包括N+衬底（2）、位于N+衬底（2）背面的金属化阴极（1）和位于N+衬底（2）正面的N‑外延层（3）；N‑外延层（3）表面是金属化阳极（8），N‑外延层（3）顶部两侧分别具有一个P型重掺杂区（6），两个P型重掺杂区（6）旁边分别具有一个N型重掺杂区（7）；金属化阳极（8）位于器件顶层，覆盖在所有P型重掺杂区（6）、N型重掺杂区（7）以及N‑外延层（3）的表面；两个P型重掺杂区（6）下方还分别具有一个深P体区（5），两个深P体区（5）分别通过一个P型重掺杂区（6）与金属化阳极（8）相连；深P体区（5）的横向尺寸大于P型重掺杂区（6）的横向尺寸，两个深P体区（5）和它们之间的N‑外延层（3）构成一个结型场效应晶体管区（4）。