[发明专利]使用耦合沟道的反熔丝存储器及其操作方法

摘要

本发明公开一种使用耦合沟道的反熔丝存储器及其操作方法，包括第一导电型的基底、第二导电型的掺杂区、耦合栅极、栅极介电层、反熔丝栅极及反熔丝层。基底中具有隔离结构。掺杂区设置于基底中，且在掺杂区与隔离结构之间定义出沟道区。耦合栅极设置于掺杂区与隔离结构之间的基底上，且耦合栅极与掺杂区相邻。栅极介电层设置于耦合栅极与基底之间。反熔丝栅极设置于耦合栅极与隔离结构之间的基底上，反熔丝栅极与耦合栅极间隔一间隙。反熔丝层设置于反熔丝栅极与基底之间。

主权项

一种使用耦合沟道的反熔丝存储器，包括：基底；第二导电型的第一掺杂区，设置于该基底中；反熔丝栅极，设置于该基底上；以及反熔丝层，设置于该反熔丝栅极与该基底之间；耦合栅极，设置于该第一掺杂区与该反熔丝栅极之间的该基底上，该耦合栅极与该反熔丝栅极间隔一间隙；以及栅极介电层，设置于该耦合栅极与该基底之间，其中于该耦合栅极及该反熔丝栅极施加电压以产生一边缘电场效应，通过该边缘电场效应于该反熔丝栅极与该耦合栅极之间的该基底中形成感应电荷，并形成一反转沟道。