[发明专利]单向瞬态电压抑制器

摘要

本发明涉及一种单向瞬态电压抑制器。其中，外延层位于衬底上方。第一和第二本体区形成在外延层中，并且相互间隔一预设的水平间距。触发和源极区形成在外延层中。第一源极区在第一和第二触发区之间的第一本体区横切附近，第一和第二触发区在第一源极区的水平附近，且在第一本体区的横切附近。第二源极区位于第三和第四触发区之间的第二本体区横切附近，第三和第四触发区在第二源极区的水平附近，且在第二本体区的横切附近。第四触发区在第二和第三源极区之间。第四触发区中的植入区在第三源极区的水平附近。

主权项

一种单向瞬态电压抑制器器件，其特征在于，包括：a) 一个第一导电类型的半导体衬底；b) 一个形成在衬底上的第一导电类型的外延层；c) 一个与第一导电类型相反的第二导电类型的第一和第二本体区，形成在外延层中，第一和第二本体区之间水平间隔一预定距离；d) 一组第二导电类型的触发区，形成在外延层的顶面中；e) 一组第一导电类型的源极区，形成在外延层的顶面中；触发区和源极区包括：一个第一源极区，位于第一和第二触发区之间的第一本体区的横切附近，所述第一和第二触发区水平靠近第一源极区，且横切靠近第一本体区；一个第二源极区，位于第三和第四触发区之间的第二本体区的横切附近，所述第三和第四触发区水平靠近第二源极区，且横切靠近第二本体区；一个第三源极区，水平靠近第四触发区，所述第四触发区位于第二和第三源极区之间；以及f) 一个第二导电类型的植入区，位于第四触发区中，所述植入区水平靠近第三源极区。