[发明专利]带补偿功能的多通道ISFET传感器读出电路有效
| 申请号： | 201210186726.X | 申请日： | 2012-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN103472114A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 吴其松;杨海钢;程小燕;尹韬 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带补偿功能的多通道ISFET传感器阵列的读出电路。该读出电路用于检测待测溶液中的离子浓度，其包括多个ISFET传感器读出电路，每个ISFET传感器读出电路构成一个检测通道，所述每个ISFET传感器读出电路具有补偿端口，该补偿端口用于接收由外部系统提供的补偿信号，以对所述ISFET传感器的非理想特性进行修正。本发明采用多通道检测方式，能够对ISFET阵列传感器的多种参数进行快速检测，检测方式可根据系统需要进行并行或串行输出。 | ||
| 搜索关键词： | 补偿 功能 通道 isfet 传感器 读出 电路 | ||
【主权项】：
一种多通道ISFET传感器阵列读出电路，用于检测待测溶液中的离子浓度，其包括多个ISFET传感器读出电路，每个ISFET传感器读出电路构成一个检测通道，其特征在于，所述每个ISFET传感器读出电路具有补偿端口，该补偿端口用于接收由外部系统提供的补偿信号，以对所述ISFET传感器的非理想特性进行修正。
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