[发明专利]放射线摄像装置、放射线摄像显示系统和晶体管

摘要

本发明提供能够抑制因放射线造成的特性劣化从而提高可靠性的晶体管、采用所述晶体管的放射线摄像装置和包括所述装置的放射线摄像显示系统，该晶体管包括半导体层；第一栅极绝缘膜和第一层间绝缘膜，它们设置于半导体层的一个指定表面侧；第一栅极，其设置于第一栅极绝缘膜和第一层间绝缘膜之间的位置；绝缘膜，其设置于半导体层的另一表面侧；源极和漏极，它们设置为与半导体层电连接；以及屏蔽电极层，其设置为使得屏蔽电极层的至少部分面对第一栅极的边缘，其中，第一栅极绝缘膜、第一层间绝缘膜以及绝缘膜中的至少一个包括氧化硅膜。

主权项

一种晶体管，其包括：半导体层，其包括沟道层；第一栅极绝缘膜和第一层间绝缘膜，它们设置于所述半导体层的一个指定表面侧；第一栅极，其设置于所述第一栅极绝缘膜和所述第一层间绝缘膜之间的位置；绝缘膜，其设置于所述半导体层的另一表面侧；源极和漏极，它们设置为与所述半导体层电连接；屏蔽电极层，其设置在所述源极和所述漏极之间，且设置为使得所述屏蔽电极层的至少部分面对所述第一栅极的边缘，并且使得所述屏蔽电极层与所述第一栅极电隔离；以及第二层间绝缘膜，设置于所述源极、所述漏极和所述屏蔽电极层上，所述第二层间绝缘膜包括位于所述源极和所述屏蔽电极层之间的第一凹部和位于所述漏极和所述屏蔽电极层之间的第二凹部，其中，所述第一栅极绝缘膜、所述第一层间绝缘膜以及所述绝缘膜中的至少一个包括氧化硅膜，且所述第二层间绝缘膜包括氧化硅膜，所述源极、所述漏极以及所述屏蔽电极层通过彼此电隔离而设置于所述第一层间绝缘膜上，并且所述屏蔽电极层的屏蔽作用抑制了正电荷对所述沟道层的边缘的影响。