[发明专利]垂直MIM电容及其制造方法有效
| 申请号： | 201210187209.4 | 申请日： | 2012-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN103474479A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 刘俊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直MIM电容，包括：在绝缘层内形成的两个相互平行的凹槽，其中，一个凹槽的一侧壁与另一凹槽的一侧壁之间的绝缘层构成所述电容的绝缘层；两层金属层分别沿所述电容的绝缘层两侧端面自上而下经沟槽的底部和沟槽的另一侧壁一直延伸到所述凹槽上侧端端面，由所述金属层引出所述电容的两端电极。本发明还公开了一种所述垂直MIM电容的制造方法。当需要制作电容量比较大的电容时，采用本发明也能避免加大芯片面积，且能保持电容的击穿特性和精度。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 mim 电容 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直金属/绝缘层/金属MIM电容，其特征在于，包括：在绝缘层内形成的两个相互平行的凹槽，其中，一个凹槽的一侧壁与另一凹槽的一侧壁之间的绝缘层构成所述电容的绝缘层；两层金属层分别沿所述电容的绝缘层两侧端面自上而下经沟槽的底部和沟槽的另一侧壁一直延伸到所述凹槽上侧端端面，由所述金属层引出所述电容的两端电极。
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