[发明专利]超高压锗硅异质结双极晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201210187217.9 | 申请日： | 2012-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN103035690A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 石晶;刘冬华;胡君;钱文生;段文婷;陈帆 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/08;H01L21/331;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超高压锗硅异质结双极晶体管，包括：P型衬底，依次位于P型衬底上的N型匹配层、P型匹配层和N-集电区；位于N-集电区中两侧端的场氧区，填入该场氧区中的氧化硅；位于场氧区下端N型匹配层、P型匹配层和N-集电区中的N+赝埋层；位于场氧区之间的N+集电区；位于场氧区和N+集电区上方的氧化硅层、多晶硅层和锗硅基区；位于锗硅基区上方的氧化硅介质层、氮化硅介质层和发射极；位于发射极两侧的发射极侧墙；位于场氧区中的深接触孔，淀积在该深接触孔内的钛/氮化钛过渡金属层及填入的金属钨将N+赝埋层引出，进而实现集电极的引出。本发明公开了一种所述双极晶体管的制备方法。本发明能够提高器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 超高压 锗硅异质结 双极晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超高压锗硅异质结双极晶体管，其特征在于，包括：低掺杂杂质浓度的P型衬底，依次位于该P型衬底上的N型匹配层、P型匹配层和N‑集电区；位于所述N‑集电区中两侧端的场氧区，填入该场氧区中的氧化硅；位于所述场氧区下端N型匹配层、P型匹配层和N‑集电区中的N+赝埋层；位于所述场氧区之间的N+集电区；位于所述场氧区和N+集电区上方的氧化硅层、多晶硅层和锗硅基区；位于所述锗硅基区上方的氧化硅介质层、氮化硅介质层和发射极；位于所述发射极两侧的发射极侧墙；位于所述场氧区中的深接触孔，淀积在该深接触孔内的钛/氮化钛过渡金属层及填入的金属钨将N+赝埋层引出，进而实现集电极的引出。
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