[发明专利]一种太阳能电池栅电极的制备方法有效
| 申请号： | 201210187289.3 | 申请日： | 2012-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN102738300A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 张海霞;彭旭华;唐伟;张晓升;孟博 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能电池栅电极的制备方法，首先制备具有栅线图形的碳化硅模版，然后将碳化硅模版与太阳能电池基片对准且贴紧固定，应用物理气相淀积法制备栅电极。该方法应用的模版材料PECVD-SiC应力小，制备的电池栅电极线宽得到了保证，因此减小了表面覆盖率；制备电极的过程影响因素较少，便于精确控制；工艺简单，提高了生产效率；SiC材料耐腐蚀性强，模版一次制得后可重复利用，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池栅电极的制备方法，首先制备具有栅线图形的碳化硅模版，然后将碳化硅模版与太阳能电池基片对准且贴紧固定，应用物理气相淀积法制备栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
