[发明专利]多晶硅阵列基板上多晶硅薄膜电阻的测试方法有效
| 申请号： | 201210187361.2 | 申请日： | 2012-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN102721873A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 田慧;金馝奭;龙春平 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/02 | 分类号： | G01R27/02 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅薄膜电阻的测试方法，涉及半导体领域，可及时、准确地监测掺杂后的多晶硅薄膜电阻，能够降低生产损失，提高生产效率。所述方法，包括：提供基板和监控片；在所述基板和监控片上同步形成掺杂的多晶硅薄膜、栅极绝缘层，其中，在所述基板上形成的为图案化的多晶硅薄膜，在所述监控片上形成的为图案化的多晶硅薄膜或不具有图案的多晶硅薄膜；对所述监控片上的多晶硅层进行电阻测试。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 阵列 基板上 薄膜 电阻 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅阵列基板上多晶硅薄膜电阻的测试方法，其特征在于，包括：a、提供基板和监控片；b、在所述基板和监控片上同步形成掺杂的多晶硅薄膜、栅极绝缘层，其中，在所述基板上形成的为图案化的多晶硅薄膜，在所述监控片上形成的为图案化的多晶硅薄膜或不具有图案的多晶硅薄膜；c、对所述监控片上的多晶硅薄膜进行电阻测试。
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