[发明专利]旋转磁控溅射靶及相应的磁控溅射装置无效

专利信息
申请号: 201210187715.3 申请日: 2012-06-08
公开(公告)号: CN102719799A 公开(公告)日: 2012-10-10
发明(设计)人: 寇浩 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 欧阳启明
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种旋转磁控溅射靶及相应的磁控溅射装置,该旋转磁控溅射靶包括圆柱形靶材、极靴以及磁控管,该磁控管包括设置在磁控管中部的第一磁极以及设置在磁控管两侧的第二磁极,第一磁极和第二磁极的极性相反。本发明的旋转磁控溅射靶及相应的磁控溅射装置提高了镀膜区域的等离子体浓度,使得生成的膜层质量更佳、均匀性更好。
搜索关键词: 旋转 磁控溅射 相应 装置
【主权项】:
一种旋转磁控溅射靶,其特征在于,包括:圆柱形靶材,其内部包括一容纳空间;极靴,设置于所述容纳空间内;磁控管,沿所述圆柱形靶材的轴向镶嵌于所述极靴的外表面,包括设置在所述磁控管中部的第一磁极以及设置在所述磁控管两侧的第二磁极,所述第一磁极和第二磁极的极性相反。
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