[发明专利]一种中高能中子探测器无效
申请号: | 201210187719.1 | 申请日: | 2012-06-08 |
公开(公告)号: | CN103472477A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 王峰;侯世刚;张天爵;李振国;宋国芳 | 申请(专利权)人: | 中国原子能科学研究院 |
主分类号: | G01T3/00 | 分类号: | G01T3/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 102413 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种中高能中子探测器,包括设置在最外层的外慢化体(2)、设在外慢化体(2)内的吸收层(4)及设在吸收层(4)内的内慢化体(5),在外慢化体(2)及吸收层(4)之间设置衰减层(3),外慢化体(2)、衰减层(3)、吸收层(4)及内慢化体(5)包含共同的中心孔(6),在中心孔(6)内部设置低能中子探头(11),低能中子探头(11)的引出线与设置在中高能中子探测器外部的计数器相连接,外慢化体(2)、内慢化体(5)采用聚乙烯制成,衰减层(3)采用纯铅制成,吸收层(4)采用含硼聚乙烯制成,因而具有探测范围宽、结构简单、安全可靠、安装方便、体积小巧及方便检修的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 高能 中子 探测器 | ||
【主权项】:
一种中高能中子探测器,包括设置在最外层的外慢化体(2)、设在外慢化体(2)内的吸收层(4)及设在吸收层(4)内的内慢化体(5),其特征在于:在外慢化体(2)及吸收层(4)之间设置衰减层(3),外慢化体(2)、衰减层(3)、吸收层(4)及内慢化体(5)包含共同的中心孔(6),在中心孔(6)内部设置低能中子探头(11),低能中子探头(11)的引出线与设置在中高能中子探测器外部的计数器相连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国原子能科学研究院,未经中国原子能科学研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210187719.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。