[发明专利]一种中高能中子探测器无效

专利信息
申请号: 201210187719.1 申请日: 2012-06-08
公开(公告)号: CN103472477A 公开(公告)日: 2013-12-25
发明(设计)人: 王峰;侯世刚;张天爵;李振国;宋国芳 申请(专利权)人: 中国原子能科学研究院
主分类号: G01T3/00 分类号: G01T3/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 102413 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种中高能中子探测器,包括设置在最外层的外慢化体(2)、设在外慢化体(2)内的吸收层(4)及设在吸收层(4)内的内慢化体(5),在外慢化体(2)及吸收层(4)之间设置衰减层(3),外慢化体(2)、衰减层(3)、吸收层(4)及内慢化体(5)包含共同的中心孔(6),在中心孔(6)内部设置低能中子探头(11),低能中子探头(11)的引出线与设置在中高能中子探测器外部的计数器相连接,外慢化体(2)、内慢化体(5)采用聚乙烯制成,衰减层(3)采用纯铅制成,吸收层(4)采用含硼聚乙烯制成,因而具有探测范围宽、结构简单、安全可靠、安装方便、体积小巧及方便检修的优点。
搜索关键词: 一种 高能 中子 探测器
【主权项】:
一种中高能中子探测器,包括设置在最外层的外慢化体(2)、设在外慢化体(2)内的吸收层(4)及设在吸收层(4)内的内慢化体(5),其特征在于:在外慢化体(2)及吸收层(4)之间设置衰减层(3),外慢化体(2)、衰减层(3)、吸收层(4)及内慢化体(5)包含共同的中心孔(6),在中心孔(6)内部设置低能中子探头(11),低能中子探头(11)的引出线与设置在中高能中子探测器外部的计数器相连接。
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