[发明专利]半导体器件和形成功率MOSFET的方法无效
| 申请号： | 201210187956.8 | 申请日： | 2012-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN102820259A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | S.J.安德森;D.N.奥卡达 | 申请（专利权）人： | 长城半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28;H01L21/336;H01L23/528;H01L29/417;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马永利;李家麟 |
| 地址： | 美国阿*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体器件和形成功率MOSFET的方法。半导体器件具有基板，源区域和漏区域形成于基板上。硅化物层布置在源区域和漏区域上方。第一互连层形成于硅化物层上方并且包括连接到源区域的第一导板以及连接到漏区域的第二导板。第二互连层形成于第一互连层上方并且包括连接到第一导板的第三导板和连接到第二导板的第四导板。凸块下金属化部(UBM)形成于第二互连层上方并且电连接到第二互连层。掩模布置在基板上方，掩模中的开口在UBM上方对准。导电凸块材料沉积在掩模中的开口内。掩模被移除并且导电凸块材料被回流以形成凸块。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 功率 mosfet 方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体器件的方法，包括：提供基板，该基板包括源区域和相邻漏区域；在源和漏区域上方形成硅化物层；在硅化物层上方形成第一互连层，第一互连层包括连接到源区域的第一导板以及连接到漏区域的第二导板；将导电层形成在第一互连层上方并且电连接到第一互连层；在基板上方布置掩模，掩模中的开口在导电层上方对准；以及在开口中沉积导电材料以形成互连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长城半导体公司，未经长城半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210187956.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
