[发明专利]一种改进的高热导率电子封装材料

摘要

本发明涉及一种改进的高热导率电子封装材料，通过下述步骤制得：1)选择金刚石和硅粉作为初始材料，并且添加钛粉和氮化铝作为烧结促进剂；2)将上述组分充分混合均匀后；3)将上述混合物装入石墨容器并放入放电等离子烧结炉；4)在放电等离子烧结炉抽真空，当真空度达到12~15Pa以下开始快速烧结；5）烧结过程中所加压力为35～39MPa，升温速度为80~120℃/分钟，烧结温度设定为1280～1320℃，达到烧结温度后保持4-5分钟，并在真空或惰性气体环境下烧结；6)烧结结束后对产品进行随炉冷却并卸掉压力。其具有设备和工艺简单、合成温度低，并且最大程度地提高产品致密度、减少产品微裂纹，产品的热导率高，综合性能良好。

主权项

一种改进的高热导率电子封装材料，其特征在于，其各原子组分的重量比为：C：Si：Ti：Al：N为19.6～30.4：27.2～33.3：0.53~0.93：0.34~0.8：0.17~0.4；并且，该材料通过以下步骤制得：1)选择粒度为18～23μm的金刚石，粒度为40～45μm、纯度在99. 99%的硅粉作为初始材料，并且添加钛粉和氮化铝作为烧结促进剂；金刚石、硅粉、钛粉、氮化铝的重量份数比为19.6～30.4：27.2～33.3：0.53～0.93：0.5~1.3；2)将上述组分充分混合均匀后；3)选择φ20 mm的石墨模具，将上述混合物装入石墨容器并放入放电等离子烧结炉； 4)在放电等离子烧结炉抽真空，当真空度达到12~15Pa以下开始快速烧结；5）烧结过程中所加压力为35～39MPa，升温速度为80~120℃/分钟，烧结温度设定为1280～1320℃，达到烧结温度后保持4‑5分钟，并在真空或惰性气体环境下烧结； 6)烧结结束后对产品进行随炉冷却并在900‑950℃时卸掉压力，得到产品。