[发明专利]复合型电容有效
申请号: | 201210188751.1 | 申请日: | 2007-12-28 |
公开(公告)号: | CN102693975A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 李明林;蔡丽端;刘淑芬;吴邦豪;郑丞良 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01L27/01;H01L29/92 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种复合型电容,包含基板、至少一平行板电容与至少一贯通孔电容,上述基板具有贯通孔,而平行板电容则位于基板上包括第一导体层、二介电层以及第二导体层。至少一贯通孔电容与至少一平行板电容并联。这种贯通孔电容至少包括一层与第一导体层电性连接至基板的一面的正极层、一层第一介电层、一层第一负极层、及一层与第二导体层电性连接至基板的另一面的第二负极层,使平行板电容与贯通孔电容的单极拉出在基板的表面。而正极层位于至少一贯通孔的内表面,且正极层的表面为多孔结构。第一介电层则位于正极层的多孔结构上。至于第一负极层是覆盖于第一介电层的表面,第二负极层是覆盖于第一负极层的表面。 | ||
搜索关键词: | 复合型 电容 | ||
【主权项】:
一种复合型电容,包括:基板,该基板具有多个贯通孔;至少一平行板电容,位于该基板上;以及至少一贯通孔电容,位于至少一贯通孔中并与该平行板电容并联,该贯通孔电容至少包括:正极层,至少位于该贯通孔的内表面,其中该正极层至少于贯通孔的内表面为一多孔结构;第一介电层,至少位于该正极层的该多孔结构上;第一负极层,覆盖于该第一介电层的表面;以及第二负极层,覆盖于该第一负极层的表面,且该平行板电容至少包括:第一导体层,且该第一导体层与该贯通孔电容的该正极层电性连接至该基板的一面;第二导体层,位于该第一导体层上,且该第二导体层与该贯通孔电容的该第二负极层电性连接至该基板的另一面,使该平行板电容与该贯通孔电容的单极拉出在该基板的表面;以及第二介电层,位于该第一导体层与该第二导体层之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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