[发明专利]具有垂直结构的发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210188762.X | 申请日： | 2007-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN102751415A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张峻豪;河俊硕 | 申请（专利权）人： | LG电子株式会社;LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种具有垂直结构的发光器件及其制造方法，发光器件，包括：支撑层；在所述支撑层上的第一电极；在所述第一电极上的半导体结构，所述半导体结构具有倾斜的侧表面；在所述半导体层上的透明层；在所述半导体结构的一部分上的第二电极；以及金属层，其布置在所述半导体结构和所述第二电极之间，所述金属层对于包含在所述半导体结构的至少一种元素具有反应性，其中，所述金属层在所述半导体结构上充当欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 结构 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：支撑层；在所述支撑层上的第一电极；在所述第一电极上的半导体结构，所述半导体结构具有倾斜的侧表面；在所述半导体层上的透明层；在所述半导体结构的一部分上的第二电极；以及金属层，其布置在所述半导体结构和所述第二电极之间，所述金属层对于包含在所述半导体结构的至少一种元素具有反应性，其中，所述金属层在所述半导体结构上充当欧姆接触。
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