[发明专利]一种光刻工艺参数测量装置及方法有效
申请号: | 201210189345.7 | 申请日: | 2012-06-08 |
公开(公告)号: | CN103472004A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 陆海亮;王帆 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备有限公司 |
主分类号: | G01N21/25 | 分类号: | G01N21/25;G03F7/20 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及半导体工艺参数测量领域,尤其涉及一种光刻工艺参数测量装置及方法,包括用于承载测量标记的运动台、提供测量光的光源、两个测量臂以及处理单元,所述两个测量臂相对于所述测量标记表面法矢方向对称设置,所述两个测量臂分别包括一个光谱仪,所述光源发出的测量光经所述两个测量臂汇聚到所述测量标记上并被反射,经所述测量标记对所述两个测量臂中一个测量臂的反射光分别被另一个测量臂中的光谱仪接收,得到反射光的光谱,所述处理单元与所述两个测量臂中的光谱仪连接,依据所述光谱仪所接收的反射光光谱中0级衍射光光谱的非对称性获取所述测量标记的套刻误差。本发明成本低,精度高。 | ||
搜索关键词: | 一种 光刻 工艺 参数 测量 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种光刻工艺参数测量装置,其特征在于,包括:用于承载测量标记的运动台;光源,提供测量光;两个测量臂,所述两个测量臂相对于所述测量标记表面法矢方向对称设置,所述两个测量臂分别包括一个光谱仪,所述光源发出的测量光经所述两个测量臂汇聚到所述测量标记上并被反射,经所述测量标记对所述两个测量臂中一个测量臂的反射光分别被另一个测量臂中的光谱仪接收,得到反射光的光谱;以及处理单元,与所述两个测量臂中的光谱仪连接,依据所述光谱仪所接收的反射光光谱中0级衍射光光谱的非对称性获取所述测量标记的套刻误差。
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