[发明专利]后形成鳍的置换型金属栅极FINFET

摘要

本发明的实施方式提供了一种后形成鳍的置换型金属栅极FinFET。提供了FinFET器件及其制造方法。在本发明的一个方面中，提供了一种用于制造FET器件的方法包括以下步骤。提供具有绝缘体上有源层的晶片。在有源层上图案化多个鳍硬掩模。将虚设栅极布置在鳍硬掩模的中心部分之上。一种或者多种掺杂剂被注入到器件的源极区和漏极区中。在虚设栅极的周围沉积电介质填料层。移除虚设栅极，以在电介质填料层中形成沟槽。鳍硬掩模用来在沟槽内的有源层中蚀刻多个鳍。活化掺杂剂。在沟槽中形成置换型栅极，其中活化掺杂剂的步骤在形成置换型栅极的步骤之前执行。

主权项

一种用于制造场效应晶体管器件的方法，包括以下步骤：提供具有绝缘体上有源层的晶片；在所述有源层上图案化多个鳍硬掩模；将虚设栅极布置在所述鳍硬掩模的中心部分之上，其中所述有源层的、在所述虚设栅极之外的部分将用作所述器件的源极区和漏极区；将一种或者多种掺杂剂注入到所述源极区和所述漏极区中；在所述虚设栅极的周围沉积电介质填料层；移除所述虚设栅极，以在所述电介质填料层中形成沟槽，其中所述鳍硬掩模存在于所述沟槽中的所述有源层上；使用所述鳍硬掩模在所述沟槽内的所述有源层中蚀刻多个鳍，其中所述鳍将用作所述器件的沟道区域；使用快速热退火活化注入到所述源极区和所述漏极区中的所述掺杂剂；在所述沟槽中形成置换型栅极，其中在于所述沟槽中形成置换型栅极的步骤之前执行活化注入到所述源极区和所述漏极区中的掺杂剂的步骤。