[发明专利]一种新型GAN基LED量子阱有源区的外延生长方法有效
| 申请号： | 201210189941.5 | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN102709414A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 孙玉芹;王江波;魏世祯;刘榕 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 胡里程 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种新型GAN基LED量子阱有源区的外延生长方法，该芯片包括衬底以及依次层叠于衬底上的缓冲层、u-GaN、n型GaN、量子阱有源区、p型GaN，量子阱有源区中的量子垒的生长方法步骤：在纯氮气氛下生长完量子阱后，先切换为纯氢气氛生长一层较厚的纯氢量子垒，然后切换为纯氮气氛，并在纯氮气氛下等待一段时间，之后再生长一层较薄的纯氮量子垒，即量子垒是通过纯氮纯氢气氛的切换分别生长一层较厚的纯氢垒和一层较薄的纯氮垒。该发明方法能有效地提高量子阱有源区的整体质量，进而提高发光效率；同时由于该方法生长的量子阱有源区较薄，相比于传统的外延生长方法，整体可节约30％的生长时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 gan led 量子 有源 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种新型GAN基LED量子阱有源区的外延生长方法，该芯片包括衬底以及依次层叠于衬底上的缓冲层、u‑GaN、n型 GaN、量子阱有源区、p型GaN，其特征在于：量子阱有源区中的量子垒的生长方法步骤：在纯氮气氛下生长完量子阱后，先切换为纯氢气氛生长一层较厚的纯氢量子垒，然后切换为纯氮气氛，并在纯氮气氛下等待一段时间，之后再生长一层较薄的纯氮量子垒，即量子垒是通过纯氮纯氢气氛的切换分别生长一层较厚的纯氢垒和一层较薄的纯氮垒。
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