[发明专利]芯片倒装单面三维线路先封后蚀制造方法及其封装结构有效
申请号: | 201210190011.1 | 申请日: | 2012-06-09 |
公开(公告)号: | CN102723288A | 公开(公告)日: | 2012-10-10 |
发明(设计)人: | 王新潮;李维平;梁志忠 | 申请(专利权)人: | 江苏长电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/56;H01L23/31;C25D5/10;C25D5/02;C25D7/00 |
代理公司: | 江阴市同盛专利事务所 32210 | 代理人: | 唐纫兰 |
地址: | 214434 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种芯片倒装单面三维线路先封后蚀制造方法,它包括以下工艺步骤:取金属基板;金属基板表面预镀铜材;绿漆披覆;金属基板正面去除部分绿漆;电镀惰性金属线路层;电镀金属线路层;绿漆披覆;金属基板正面去除部分绿漆;电镀金属线路层;绿漆披覆;金属基板正面去除部分绿漆;覆上线路网板;金属化前处理;移除线路网板;电镀金属线路层;装片及芯片底部填充;包封;金属基板背面去除部分绿漆;化学蚀刻;电镀金属线路层;绿漆披覆;绿漆表面开孔;清洗;植球;切割成品。本发明的有益效果是:降低了制造成本,提高了封装体的安全性和可靠性,减少了环境污染,能够真正做到高密度线路的设计和制造。 | ||
搜索关键词: | 芯片 倒装 单面 三维 线路 先封后蚀 制造 方法 及其 封装 结构 | ||
【主权项】:
一种芯片倒装单面三维线路先封后蚀制造方法,其特征在于所述方法包括以下工艺步骤: 步骤一、取金属基板步骤二、金属基板表面预镀铜材在金属基板表面电镀一层铜材薄膜, 步骤三、绿漆披覆在步骤二完成预镀铜材薄膜的金属基板正面及背面进行绿漆的被覆, 步骤四、金属基板正面去除部分绿漆利用曝光显影设备在步骤三完成绿漆披覆的金属基板正面进行图形曝光、显影以及开窗,以露出金属基板正面后续需要进行电镀的图形区域;步骤五、电镀惰性金属线路层将步骤四金属基板正面已完成开窗的图形区域电镀上惰性金属线路层, 步骤六、电镀金属线路层在步骤五中的惰性金属线路层表面镀上金属线路层, 步骤七、绿漆披覆在步骤六完成电镀金属线路层的金属基板正面再次进行绿漆的被覆, 步骤八、金属基板正面去除部分绿漆利用曝光显影设备在步骤七完成绿漆披覆的金属基板正面进行图形曝光、显影以及开窗,以露出金属基板正面后续需要进行电镀的图形区域,步骤九、电镀金属线路层将步骤八金属基板正面已完成开窗的图形区域电镀上金属线路层, 步骤十、绿漆披覆在步骤九完成电镀金属线路层的金属基板正面再次进行绿漆的被覆, 步骤十一、金属基板正面去除部分绿漆利用曝光显影设备在步骤十完成绿漆披覆的金属基板正面进行图形曝光、显影以及开窗,以露出金属基板正面后续需要进行电镀的图形区域,步骤十二、覆上线路网板在金属基板正面覆上线路网板, 步骤十三、金属化前处理对步骤十一金属基板正面已完成开窗的图形区域进行电镀金属线路层的金属化前处理,步骤十四、移除线路网板将步骤十二中金属基板正面覆上的线路网板移除,步骤十五、电镀金属线路层将步骤十三金属基板正面完成电镀金属线路层前处理的区域电镀上金属线路层,所述金属线路层电镀完成后即在金属基板正面相对形成引脚或基岛和引脚的上部,步骤十六、装片及芯片底部填充在步骤十五相对形成的基岛或引脚的上部正面倒装上芯片及芯片底部填充环氧树脂,步骤十七、包封将步骤十六完成芯片倒装及芯片底部填充后的金属基板正面进行包封塑封料作业, 步骤十八、金属基板背面去除部分绿漆利用曝光显影设备对金属基板背面披覆的绿漆进行图形曝光、显影以及开窗,以露出金属基板背面后续需要进行化学蚀刻的图形区域,步骤十九、化学蚀刻将步骤十八中金属基板背面完成开窗的图形区域进行化学蚀刻, 步骤二十、电镀金属线路层在步骤十九完成化学蚀刻后露出的惰性金属线路层表面进行金属线路层的电镀,金属线路层电镀完成后即在金属基板背面相对形成引脚或基岛和引脚的下部, 步骤二十一、绿漆披覆在步骤二十完成电镀金属线路层的金属基板背面进行绿漆的被覆,步骤二十二、绿漆表面开孔在步骤二十一金属基板背面披覆的绿漆表面进行后续要植金属球区域的开孔作业, 步骤二十三、清洗对步骤二十二金属基板背面绿漆开孔处进行清洗步骤二十四、植球在步骤二十三经过清洗的小孔内植入金属球, 步骤二十五、切割成品将步骤二十四完成植球的半成品进行切割作业,使原本以阵列式集合体方式集成在一起并含有芯片的塑封体模块一颗颗切割独立开来,制得芯片倒装单面三维线路先封后蚀封装结构成品。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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