[发明专利]单面三维线路芯片倒装先封后蚀制造方法及其封装结构

摘要

本发明涉及一种单面三维线路芯片倒装先封后蚀制造方法，它包括以下工艺步骤：取金属基板；金属基板表面预镀铜材；贴光阻膜作业；金属基板正面去除部分光阻膜；电镀惰性金属线路层；电镀金属线路层；贴光阻膜作业；金属基板正面去除部分光阻膜；电镀金属线路层；去除金属基板表面光阻膜；包封；金属化前处理；电镀金属线路层；去除金属基板表面光阻膜；装片及芯片底部填充；包封；化学蚀刻；去除金属基板表面光阻膜；电镀金属线路层；包封；塑封料表面开孔；清洗；植球；切割成品。本发明的有益效果是：降低了制造成本，提高了封装体的安全性和可靠性，减少了环境污染，能够真正做到高密度线路的设计和制造。

主权项

一种单面三维线路芯片倒装先封后蚀制造方法，其特征在于所述方法包括以下工艺步骤： 步骤一、取金属基板步骤二、金属基板表面预镀铜材在金属基板表面电镀一层铜材薄膜，步骤三、贴光阻膜作业利用贴光阻膜设备在步骤二完成预镀铜材薄膜的金属基板正面及背面进行光阻膜的被覆， 步骤四、金属基板正面去除部分光阻膜利用曝光显影设备在步骤三完成贴膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板正面后续需要进行电镀的图形区域，步骤五、电镀惰性金属线路层将步骤四金属基板正面已完成开窗的图形区域电镀上惰性金属线路层， 步骤六、电镀金属线路层在步骤五中的惰性金属线路层表面镀上金属线路层， 步骤七、贴光阻膜作业利用贴光阻膜设备在步骤六完成电镀金属线路层的金属基板正面及背面进行光阻膜的被覆， 步骤八、金属基板正面去除部分光阻膜利用曝光显影设备在步骤七完成贴膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板正面后续需要进行电镀的图形区域，步骤九、电镀金属线路层将步骤八金属基板正面已完成开窗的图形区域电镀上金属线路层， 步骤十、去除金属基板表面光阻膜将金属基板表面的光阻膜去除， 步骤十一、包封将步骤九完成电镀金属线路层的金属基板正面进行包封塑封料作业， 步骤十二、贴光阻膜作业利用贴膜设备在步骤十一完成包封塑封料的金属基板正面及背面进行光阻膜的被覆， 步骤十三、金属基板正面去除部分光阻膜利用曝光显影设备在步骤十二完成贴膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板正面后续需要进行电镀的图形区域，步骤十四、金属化前处理将步骤十三金属基板正面已完成开窗的图形区域进行电镀金属线路层的金属化前处理， 步骤十五、电镀金属线路层将步骤十四金属基板正面完成电镀金属线路层前处理的区域电镀上金属线路层，所述金属线路层电镀完成后即在金属基板正面相对形成引脚或基岛和引脚的上部， 步骤十六、去除金属基板表面光阻膜将金属基板表面的光阻膜去除， 步骤十七、装片及芯片底部填充在步骤十五相对形成的引脚或基岛和引脚的上部正面倒装上芯片及芯片底部填充环氧树脂；步骤十八、包封将步骤十七完成芯片倒装及芯片底部填充后的金属基板正面进行包封塑封料作业，步骤十九、贴光阻膜作业利用贴膜设备在步骤十八完成包封塑封料的金属基板正面及背面进行光阻膜的被覆，步骤二十、金属基板背面去除部分光阻膜利用曝光显影设备在步骤十九完成贴光阻膜作业的金属基板背面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板背面后续需要进行化学蚀刻的图形区域，步骤二十一、化学蚀刻将步骤二十中金属基板背面完成开窗的图形区域进行化学蚀刻，步骤二十二、去除金属基板表面光阻膜将金属基板表面的光阻膜去除，步骤二十三、电镀金属线路层在步骤二十一完成化学蚀刻后露出的惰性金属线路层表面进行金属线路层的电镀，金属线路层电镀完成后即在金属基板背面相对形成引脚或基岛和引脚的下部， 步骤二十四、包封将步骤二十三完成电镀金属线路层的金属基板背面进行塑封料的包封作业，步骤二十五、塑封料表面开孔在步骤二十四金属基板背面包封塑封料的表面进行后续要植金属球区域的开孔作业， 步骤二十六、清洗对步骤二十五金属基板背面塑封料开孔处进行清洗，步骤二十七、植球在步骤二十六经过清洗的小孔内植入金属球，金属球与引脚的背面相接触， 步骤二十八、切割成品将步骤二十七完成植球的半成品进行切割作业，使原本以阵列式集合体方式集成在一起并含有芯片的塑封体模块一颗颗切割独立开来，制得单面三维线路芯片倒装先封后蚀封装结构成品。