[发明专利]用于形成细间距铜凸块结构的机构有效
| 申请号： | 201210190255.X | 申请日： | 2012-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN103137585A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 林宗澍;普翰屏;郑明达;黄昶嘉;刘浩君 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了用于形成细间距铜凸块结构的机构。所描述的形成铜柱结构的机构使在平坦导电表面上形成铜柱结构成为可能。另外，铜柱结构由杨氏模量比聚酰亚胺更高(或更硬的材料)的模塑层支持。所形成的铜柱结构大大减小了钝化层碎裂和围绕铜柱结构的电介质界面处分层的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 间距 铜凸块 结构 机构 | ||
【主权项】：
一种位于半导体衬底上的半导体器件结构，包括：凸块下金属(UBM)层，位于所述半导体衬底上方；导电层，形成在所述UBM层上方；铜柱，直接形成在所述导电层上方；以及模塑层，围绕所述铜柱的侧壁并且覆盖所述铜柱下方的所述导电层，其中，所述模塑层的杨氏模量处于约5GPa到约25GPa的范围内。
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