[发明专利]制备单斜相Ga2S3晶体的方法无效
| 申请号： | 201210190280.8 | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN102701269A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 张明建;郭国聪 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C01G15/00 | 分类号： | C01G15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制备单斜相Ga2S3的方法。该方法包括如下步骤：Ga2O3、B和S按照1：2：3的摩尔比例混合研磨，压片装入真空石英管，以30～40 ℃/h的速率升温至950 ℃，恒温72-144小时，再以2～6 ℃/h的速率降温至250 ℃，用热水洗掉副产物B2O3，可得单斜相Ga2S3微晶。本发明的化合物的热稳定性好，透过波段宽；合成方法简单，易操作、原料来源充足、化合物合成的产率极高，纯度也高且重复性好，适合大规模生产的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 单斜 ga2s3 晶体 方法 | ||
【主权项】：
一种单斜相Ga2S3的高温固相硼硫化制备方法，包括如下步骤：Ga2O3、B和S按照1：2：3的摩尔比例混合研磨，压片装入真空石英管，以30～40 ℃/h的速率升温至950 ℃，恒温72‑144小时，再以2～6 ℃/h的速率降温至250 ℃，用热水洗掉副产物B2O3，可得单斜相Ga2S3微晶。
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