[发明专利]背面接触形成有效
| 申请号： | 201210190856.0 | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN102832192A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 弗洛里安·施密特;迈克尔·齐恩曼 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 提供了一种半导体及其形成方法，该半导体包括衬底以及形成在衬底上的多个布线层和多个电介质层，布线层实现电路。电介质层将所述多个布线层中相邻的布线层隔开。第一钝化层形成在所述多个布线层上。第一接触焊盘形成在钝化层中，并且电耦合至电路。布线形成在钝化层上，并且连接至接触焊盘。贯穿硅通道(TSV)贯穿衬底、所述多个布线层、所述多个电介质层、以及钝化层而形成。TSV电连接至形成于钝化层上的布线。除了形成在钝化层上的金属布线所提供的连接以外，TSV与布线层电隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 接触 形成 | ||
【主权项】：
一种半导体，包括：衬底；多个布线层和多个电介质层，所述多个布线层和所述多个电介质层形成在衬底上，电介质层将所述多个布线层中相邻的布线层隔开，布线层实现电路；第一钝化层，形成在所述多个布线层上；第一接触焊盘，形成在钝化层中，并且电耦合至电路；布线，形成在钝化层上，并且连接至接触焊盘；以及贯穿硅通道TSV，贯穿衬底、所述多个布线层、所述多个电介质层、以及钝化层而形成，TSV电连接至形成于钝化层上的布线，除了形成在钝化层上的金属布线所提供的连接以外，TSV与布线层电隔离。
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