[发明专利]一种用于提高GaN膜质量的蓝宝石图形衬底及制备方法无效

专利信息
申请号: 201210190964.8 申请日: 2012-06-12
公开(公告)号: CN102703974A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 梁红伟;杨德超;俞振南;夏晓川;申人升;杜国同 申请(专利权)人: 大连理工大学;浙江水晶光电科技股份有限公司
主分类号: C30B25/18 分类号: C30B25/18;C30B29/40
代理公司: 大连星海专利事务所 21208 代理人: 徐淑东
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开了一种用于提高GaN膜质量的蓝宝石图形衬底及制备方法,利用掩膜技术在c面蓝宝石衬底上制备三角形掩膜图形,并利用ICP干法刻蚀或湿法刻蚀技术将掩膜图形转移到蓝宝石衬底上并形成侧面为[105]面的三棱锥或者三棱台。本发明通过在蓝宝石衬底上制备多个规则排列的蓝宝石[105]晶面暴露的三棱锥或三棱台,能够有效地降低其上生长的GaN薄膜内由应力引起的缺陷的密度,提高了GaN膜的生长质量。
搜索关键词: 一种 用于 提高 gan 质量 蓝宝石 图形 衬底 制备 方法
【主权项】:
1.一种用于提高GaN膜质量的蓝宝石图形衬底,其特征在于,所述一种用于提高GaN膜质量的蓝宝石图形衬底形成于蓝宝石衬底上,表面为规则排列的若干三棱锥(2)或三棱台(3),其周期性排布;三棱锥(2)或三棱台(3)的底面为等边三角形,三个侧面由蓝宝石[105]面(4)构成。
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