[发明专利]一种集成碳纳米褶皱的三维碳微纳电极阵列结构制备方法无效
| 申请号： | 201210191156.3 | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN102757013A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 汤自荣;史铁林;龙胡;习爽;刘丹;徐亮亮;廖广兰;夏奇 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成碳纳米褶皱的三维碳微纳电极阵列结构的制备方法，包括：光刻步骤，得到带有电极图案的光刻胶微结构；沉积碳膜步骤：在上面得到的光刻胶微结构上沉积一层碳膜；热解步骤：在惰性气体或其混合气体环境下进行多步热解，各步热解温度不同。本发明将碳纳米皱褶和碳微结构结合，通过在微结构表面生成纳米皱褶制造碳微纳集成结构。由于生物兼容的纳米皱褶碳膜的集成可极大地增加碳微纳电极阵列的比表面积，提高酶的生物活性及稳定性。本发明的方法运用于微机电系统中，具有工艺简便、结构牢固、生物兼容性好的特点，制备的碳微结构可作为微电极应用于生物燃料电池、生物芯片、微型电化学传感器等微机电领域中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 纳米 褶皱 三维 碳微纳 电极 阵列 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种集成碳纳米褶皱的三维碳微纳电极阵列结构制备方法，包括下述步骤：(1) 光刻步骤，得到带有电极阵列图案的光刻胶微结构； (2) 沉积碳膜步骤：在所述光刻胶微结构上沉积一层碳膜；(3) 热解步骤：在保护气氛下，对沉积碳膜的硅基片进行热解，在各单个电极上表面及侧面生成碳纳米褶皱结构，得到三维碳微纳电极阵列结构。
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