[发明专利]耗尽型MOS晶体管有效
| 申请号： | 201210191269.3 | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN102694012A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 吴小利;唐树澍;苟鸿雁 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种耗尽型MOS晶体管。根据本发明的耗尽型MOS晶体管包括：布置在衬底中的源极和漏极，源极和漏极中的一个的上方布置了轻掺杂区，源极和漏极中的另一个的上方未布置轻掺杂区；布置在衬底上方源极和漏极之间的栅极；布置在衬底中的栅极下方的第一导电沟道；以及布置在衬底中的源极和漏极之间的第二导电沟道；其中，所述第一导电沟道邻接所述栅极，并且所述第二导电沟道与所述第一导电沟道邻接，此外，所述第二导电沟道邻接所述源极和所述漏极中的所述另一个。所述第一导电沟道的掺杂浓度大于所述第二导电沟道的掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 耗尽 mos 晶体管 | ||
【主权项】：
一种耗尽型MOS晶体管，其特征在于包括：布置在衬底中的源极和漏极，源极和漏极中的一个的上方布置了轻掺杂区，源极和漏极中的另一个的上方未布置轻掺杂区；布置在衬底上方源极和漏极之间的栅极；布置在衬底中的栅极下方的第一导电沟道；以及布置在衬底中的源极和漏极之间的第二导电沟道；其中，所述第一导电沟道邻接所述栅极，并且所述第二导电沟道与所述第一导电沟道邻接，此外，所述第二导电沟道邻接所述源极和所述漏极中的所述另一个。
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