[发明专利]聚光型光电电池有效
申请号: | 201210191283.3 | 申请日: | 2012-06-12 |
公开(公告)号: | CN103489930B | 公开(公告)日: | 2018-02-06 |
发明(设计)人: | 张敏南;陈政宏 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一聚光型光电电池,其包含一半导体叠层,具有一上表面与一相对于上表面的下表面,其中上表面用以吸收一光线,光线在上表面具有一光强度分布;以及一上电极,位于半导体叠层的上表面上,具有一电极图案大致对应于光强度分布,其中光强度分布包含一高聚光区,具有一第一光强度,与一低聚光区,具有一第二光强度,其中第二光强度低于第一光强度。 | ||
搜索关键词: | 聚光 光电 电池 | ||
【主权项】:
一种光电电池,包含︰半导体叠层,具有上表面;上电极,包含多条电极栅线位于该半导体叠层的该上表面上,该多条电极栅线包含多条第一电极栅线及多条第二电极栅线,其中该多条第一电极栅线较该多条第二电极栅线靠近该上表面的中心,其中该多条第一电极栅线的宽度小于该多条第二电极栅线,且该多条第二电极栅线完全包围该多条第一电极栅线;以及光学聚光器置于该半导体叠层之上,以接受或传递光至该半导体叠层的该上表面,其中光具有一光强度分布且具有一高聚光区以及一低聚光区,且该高聚光区的聚光倍率高于该低聚光区,该多条第一电极栅线对应位于该高聚光区且该多条第二电极栅线对应于该低聚光区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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