[发明专利]双壳层ZnO/CdTe/ZnS纳米电缆阵列电极及其制备方法无效
| 申请号： | 201210191330.4 | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN102768905A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 王浩;刘荣;王喜娜;王甜;汪宝元;胡芸霞;许扬;丁浩;张军 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042;H01G9/20;C03C17/34 |
| 代理公司： | 武汉金堂专利事务所 42212 | 代理人： | 丁齐旭 |
| 地址： | 430062 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了双壳层ZnO/CdTe/ZnS纳米电缆阵列电极的结构及其制备方法。用水热法实现单晶ZnO纳米线阵列垂直于ITO衬底生长，直径和高度分别在50～100nm、0.5～3μm内可调，然后在ZnO纳米线阵列上制备CdTe纳米电缆层和ZnS纳米晶钝化层，形成ZnO/CdTe/ZnS双壳层纳米电缆阵列结构电极。且CdTe壳层和ZnS的厚度分别在3～30nm以及5～15nm。通过退火工艺，有效的提高了ZnO/CdTe/ZnS纳米电缆阵列的结晶质量，实现了ZnO/CdTe纳米电缆阵列的饱和光电流密度从6.5mA/cm2提高到ZnO/CdTe/ZnS纳米电缆阵列的13.78mA/cm2。本发明设计的制备工艺简单环保，成本低，重复性好。 | ||
| 搜索关键词： | 双壳层 zno cdte zns 纳米 电缆 阵列 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种双壳层ZnO/CdTe/ZnS纳米电缆阵列电极，是采用水热法实现单晶ZnO纳米线阵列垂直于ITO衬底生长，其特征在于ZnO纳米线阵列直径和高度分别控制在50～100nm、0.5～3μm范围内；然后利用电化学沉积工艺在ZnO纳米线阵列上制备CdTe纳米壳层，且通过调节沉积电量大小控制CdTe壳层的厚度在3～30nm；最后通过SILAR法制备ZnS外层，且通过改变循环次数控制ZnS的厚度在5～15nm。
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