[发明专利]提高存储单元擦除速度的方法以及存储单元擦除方法在审
| 申请号： | 201210191443.4 | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN102708921A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 曹子贵 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提高存储单元擦除速度的方法以及存储单元擦除方法。在根据本发明的提高存储单元擦除速度的方法中，存储单元是一个MOS晶体管，其包括布置在衬底中或者衬底中的阱中的漏极和源极、以及布置在衬底上的处于漏极和源极之间的栅极氧化层和栅极多晶硅。根据本发明的提高存储单元擦除速度的方法包括：在对存储单元进行擦除时，MOS晶体管的衬底或者衬底中的阱施加第一电压的偏置电压，MOS晶体管的漏极悬空，MOS晶体管的源极施加第二电压的偏置电压，MOS晶体管的栅极多晶硅上施加第三电压的偏置电压；并且，其中第二电压为正电压，第三电压为负电压，并且第一电压的电压值介于第二电压和第三电压之间。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 存储 单元 擦除 速度 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种提高存储单元擦除速度的方法，其中存储单元是一个MOS晶体管，其包括布置在衬底中或者衬底中的阱中的漏极和源极、以及布置在衬底上的处于漏极和源极之间的栅极氧化层和栅极多晶硅，其特征在于所述方法包括：在对存储单元进行擦除时，MOS晶体管的衬底或者衬底中的阱施加第一电压的偏置电压，MOS晶体管的漏极悬空，MOS晶体管的源极施加第二电压的偏置电压，MOS晶体管的栅极多晶硅上施加第三电压的偏置电压；并且，其中第二电压为正电压，第三电压为负电压，并且第一电压的电压值介于第二电压和第三电压之间。
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