[发明专利]减少晶圆电弧放电的方法、晶圆结构和集成电路制造方法在审
| 申请号： | 201210191446.8 | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN102709254A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 黎坡;孔蔚然 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/31 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了减少晶圆电弧放电的方法、晶圆结构和集成电路制造方法。晶圆包括环绕芯片的密封环，密封环用于保护晶圆中的芯片内部电路、防止划片损伤；密封环中布置了开口，从而不形成密闭的环，由此通过密封环中开口的布置来使得密封环不对晶圆电弧放电进行传播。根据本发明，通过在密封环中布置开口从而使密封环不形成密闭的环，以使密封环不对晶圆电弧放电进行传播，来减少晶圆电弧放电传播所造成的晶圆损害。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 电弧 放电 方法 结构 集成电路 制造 | ||
【主权项】：
一种减少晶圆电弧放电的方法，所述晶圆包括环绕芯片的密封环，所述密封环用于保护晶圆中的芯片内部电路、防止划片损伤；其特征在于所述密封环中布置了开口，从而不形成密闭的环，由此通过密封环中开口的布置来使得所述密封环不对晶圆电弧放电进行传播。
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